Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 100 A Drain-Source-Spannung max. = 25 V... mehr
Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 100 A
Drain-Source-Spannung max. = 25 V
Gehäusegröße = SuperSO
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 8
Drain-Source-Widerstand max. = 1,25 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 2V
Gate-Schwellenspannung min. = 1.2V
Verlustleistung max. = 74 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = +16 V
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Diodendurchschlagsspannung = 1V
Dauer-Drainstrom max. = 100 A
Drain-Source-Spannung max. = 25 V
Gehäusegröße = SuperSO
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 8
Drain-Source-Widerstand max. = 1,25 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 2V
Gate-Schwellenspannung min. = 1.2V
Verlustleistung max. = 74 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = +16 V
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
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