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Infineon OptiMOS™ 3 N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 100 A 96 W, 8-Pin TDSON

Infineon OptiMOS™ 3 N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 100 A 96 W, 8-Pin TDSON
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Beschreibung
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 100 A Drain-Source-Spannung max. = 30 V... mehr
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Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 100 A
Drain-Source-Spannung max. = 30 V
Gehäusegröße = TDSON
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 8
Drain-Source-Widerstand max. = 2,9 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 2.2V
Gate-Schwellenspannung min. = 1V
Verlustleistung max. = 96 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = +20 V
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Diodendurchschlagsspannung = 1.1V

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