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Infineon IMW65 N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 32,8 A, 3-Pin PG-TO247-3
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 32.8 A Drain-Source-Spannung max. = 650 V Gehäusegröße =... mehr
Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 32.8 A
Drain-Source-Spannung max. = 650 V
Gehäusegröße = PG-TO247-3
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Channel-Modus = Enhancement
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Dauer-Drainstrom max. = 32.8 A
Drain-Source-Spannung max. = 650 V
Gehäusegröße = PG-TO247-3
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Channel-Modus = Enhancement
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
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