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Infineon IPT N-Kanal, SMD MOSFET 200 V / 87 A, 8-Pin PG-HSOF-8
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 87 A Drain-Source-Spannung max. = 200 V Gehäusegröße =... mehr
Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 87 A
Drain-Source-Spannung max. = 200 V
Gehäusegröße = PG-HSOF-8
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 8
Channel-Modus = Enhancement
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Dauer-Drainstrom max. = 87 A
Drain-Source-Spannung max. = 200 V
Gehäusegröße = PG-HSOF-8
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 8
Channel-Modus = Enhancement
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
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