Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 189 A Drain-Source-Spannung max. = 1200 V Gehäusegröße =... mehr
Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 189 A
Drain-Source-Spannung max. = 1200 V
Gehäusegröße = PG-TO263-7
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 7
Channel-Modus = Enhancement
Transistor-Werkstoff = SiC
Dauer-Drainstrom max. = 189 A
Drain-Source-Spannung max. = 1200 V
Gehäusegröße = PG-TO263-7
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 7
Channel-Modus = Enhancement
Transistor-Werkstoff = SiC
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