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International Rectifier HEXFET N-Kanal, SMD MOSFET Transistor 30 V / 11,8 A 3 W, 8-Pin SOIC
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 11,8 A Drain-Source-Spannung max. = 30 V... mehr
Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 11,8 A
Drain-Source-Spannung max. = 30 V
Gehäusegröße = SOIC
Serie = HEXFET
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 8
Drain-Source-Widerstand max. = 14 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Verlustleistung max. = 3 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V
Länge = 5mm
Betriebstemperatur max. = +150 °C
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Dauer-Drainstrom max. = 11,8 A
Drain-Source-Spannung max. = 30 V
Gehäusegröße = SOIC
Serie = HEXFET
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 8
Drain-Source-Widerstand max. = 14 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Verlustleistung max. = 3 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V
Länge = 5mm
Betriebstemperatur max. = +150 °C
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