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International Rectifier HEXFET N-Kanal, SMD MOSFET Transistor 40 V / 9,4 A 2,5 W, 8-Pin SOIC
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 9,4 A Drain-Source-Spannung max. = 40 V... mehr
Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 9,4 A
Drain-Source-Spannung max. = 40 V
Gehäusegröße = SOIC
Serie = HEXFET
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 8
Drain-Source-Widerstand max. = 16 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Verlustleistung max. = 2,5 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -12 V, +12 V
Länge = 5mm
Betriebstemperatur max. = +150 °C
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Dauer-Drainstrom max. = 9,4 A
Drain-Source-Spannung max. = 40 V
Gehäusegröße = SOIC
Serie = HEXFET
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 8
Drain-Source-Widerstand max. = 16 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Verlustleistung max. = 2,5 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -12 V, +12 V
Länge = 5mm
Betriebstemperatur max. = +150 °C
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