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onsemi N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 30 A 240 W, 3-Pin TO-220
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 30 A Drain-Source-Spannung max. = 650 V... mehr
Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 30 A
Drain-Source-Spannung max. = 650 V
Gehäusegröße = TO-220
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 110 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 5V
Gate-Schwellenspannung min. = 3V
Verlustleistung max. = 240 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = ±30 V
Länge = 10.63mm
Betriebstemperatur max. = +150 °C
Dauer-Drainstrom max. = 30 A
Drain-Source-Spannung max. = 650 V
Gehäusegröße = TO-220
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 110 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 5V
Gate-Schwellenspannung min. = 3V
Verlustleistung max. = 240 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = ±30 V
Länge = 10.63mm
Betriebstemperatur max. = +150 °C
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