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ROHM N-Kanal Dual, SMD MOSFET 30 V / 1 A 1,25 W, 6-Pin TSMT-6
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 1 A Drain-Source-Spannung max. = 30 V Gehäusegröße... mehr
Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 1 A
Drain-Source-Spannung max. = 30 V
Gehäusegröße = TSMT-6
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 6
Drain-Source-Widerstand max. = 238 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 1.5V
Gate-Schwellenspannung min. = 0.5V
Verlustleistung max. = 1,25 W
Gate-Source Spannung max. = ±12 V
Länge = 3mm
Betriebstemperatur max. = +150 °C
Anzahl der Elemente pro Chip = 2
Dauer-Drainstrom max. = 1 A
Drain-Source-Spannung max. = 30 V
Gehäusegröße = TSMT-6
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 6
Drain-Source-Widerstand max. = 238 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 1.5V
Gate-Schwellenspannung min. = 0.5V
Verlustleistung max. = 1,25 W
Gate-Source Spannung max. = ±12 V
Länge = 3mm
Betriebstemperatur max. = +150 °C
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