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ROHM N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 93 A 262 W, 3-Pin TO-247N
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 93 A Drain-Source-Spannung max. = 650 V... mehr
Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 93 A
Drain-Source-Spannung max. = 650 V
Gehäusegröße = TO-247N
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 29 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 5.6V
Gate-Schwellenspannung min. = 2.7V
Verlustleistung max. = 262 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = 22 V
Länge = 16mm
Betriebstemperatur max. = +175 °C
Dauer-Drainstrom max. = 93 A
Drain-Source-Spannung max. = 650 V
Gehäusegröße = TO-247N
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 29 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 5.6V
Gate-Schwellenspannung min. = 2.7V
Verlustleistung max. = 262 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = 22 V
Länge = 16mm
Betriebstemperatur max. = +175 °C
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