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Infineon CoolMOS™ CE N-Kanal, SMD MOSFET 550 V / 6,6 A 5 W, 3-Pin SOT-223
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 6,6 A Drain-Source-Spannung max. = 550 V... mehr
Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 6,6 A
Drain-Source-Spannung max. = 550 V
Gehäusegröße = SOT-223
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 3 + Tab
Drain-Source-Widerstand max. = 950 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 3.5V
Gate-Schwellenspannung min. = 2.5V
Verlustleistung max. = 5 W
Gate-Source Spannung max. = -30 V, +30 V
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Diodendurchschlagsspannung = 0.83V
Höhe = 1.7mm
Dauer-Drainstrom max. = 6,6 A
Drain-Source-Spannung max. = 550 V
Gehäusegröße = SOT-223
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 3 + Tab
Drain-Source-Widerstand max. = 950 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 3.5V
Gate-Schwellenspannung min. = 2.5V
Verlustleistung max. = 5 W
Gate-Source Spannung max. = -30 V, +30 V
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Diodendurchschlagsspannung = 0.83V
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