RS Components
onsemi N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 44 A 312 W, 3-Pin TO-247
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Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 44 A
Drain-Source-Spannung max. = 650 V
Gehäusegröße = TO-247
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 107 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 4.5V
Gate-Schwellenspannung min. = 2.5V
Verlustleistung max. = 312 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = ±30 V
Länge = 15.87mm
Betriebstemperatur max. = +150 °C
Dauer-Drainstrom max. = 44 A
Drain-Source-Spannung max. = 650 V
Gehäusegröße = TO-247
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 107 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 4.5V
Gate-Schwellenspannung min. = 2.5V
Verlustleistung max. = 312 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = ±30 V
Länge = 15.87mm
Betriebstemperatur max. = +150 °C