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Infineon IPT N-Kanal, SMD MOSFET 135 V / 212 A, 8-Pin PG-HSOF-8
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Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 212 A
Drain-Source-Spannung max. = 135 V
Serie = IPT
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 8
Channel-Modus = Enhancement
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Dauer-Drainstrom max. = 212 A
Drain-Source-Spannung max. = 135 V
Serie = IPT
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 8
Channel-Modus = Enhancement
Anzahl der Elemente pro Chip = 1